Élaboration et caractérisation de jonctions tunnel à plusieurs barrières pour l'intégration dans une nouvelle génération de mémoires magnétiques
Langue Français
Langue Français
Auteur : Iovan, Adrian
Date de soutenance : 10-09-2004
Directeur(s) de thèse : Ounadjela, Kamel - Stoeffler, Daniel
Établissement de soutenance : Université Louis Pasteur (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
Date de soutenance : 10-09-2004
Directeur(s) de thèse : Ounadjela, Kamel - Stoeffler, Daniel
Établissement de soutenance : Université Louis Pasteur (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
Discipline : Physique de la matière condensée
Classification : Sciences de l'ingénieur
Mots-clés libres : ordinateurs , magnétorésistance , effet tunnel , diodes tunnel , Mémoire magnétique à accès aléatoire , MRAM , structure à deux barrières tunnels , diode métal-isolant , rectification du courant
Mots-clés :
Classification : Sciences de l'ingénieur
Mots-clés libres : ordinateurs , magnétorésistance , effet tunnel , diodes tunnel , Mémoire magnétique à accès aléatoire , MRAM , structure à deux barrières tunnels , diode métal-isolant , rectification du courant
Mots-clés :
- Ordinateurs - Thèses et écrits académiques
- Magnétorésistance - Thèses et écrits académiques
- Effet tunnel - Thèses et écrits académiques
- Diodes tunnel - Thèses et écrits académiques
Type de contenu : Text
Entrepôt d'origine :
Identifiant : ecrin-ori-294695
Type de ressource : Thèse
Identifiant : ecrin-ori-294695
Type de ressource : Thèse